シリコンとカーボン

SiC（シリコンカーバイド）はシリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料です。 絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップがSiの3倍と優れているだけでなくデバイス作製に必要なp型、n型の制御が広い範囲で可能であることなどから、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されています。

PC・タブレット・スマートフォンに関しては、すでにブームが過ぎたものと考えられます。

将来的に産業用途・医療・自動車向けのものに変わるものと予想され

2045年AIの進化が進むことで、AIが人間の知能を超える転換点が現れます。

人間には、見つけられない欠陥や作業の省力化など、様々な側面で生産性向上が期待できるため、半導体業界はより多くのニーズに応えられるようになるでしょう。

見つけて探す知能を研ぎ澄ませ

そこから、

救いが、現れる。